描述:CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡(jiǎn)寫(xiě),本公司生產(chǎn)的單溫區CVD管式爐系統是利用管式爐加熱,把構成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入爐管內,在爐管內使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。
品牌 | 其他品牌 | 升溫速度(達到最高溫) | 60/min |
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內部尺寸 | φ50--φ200mm | 加熱方式 | 合金電阻絲 |
最大功率 | 6000kW | 控溫精度 | ±1℃℃ |
最高溫度 | 1200℃ | 價(jià)格區間 | 面議 |
儀器種類(lèi) | 管式爐 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國產(chǎn) |
應用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥 |
CVD系統應用:
CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡(jiǎn)寫(xiě),本公司生產(chǎn)的單溫區CVD管式爐系統是利用管式爐加熱,把構成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入爐管內,在爐管內使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。
CVD系統分類(lèi):
CVD技術(shù)常常通過(guò)反應類(lèi)型或者壓力來(lái)分類(lèi),包括低壓CVD(LPCVD),常壓CVD(APCVD),亞常壓CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),等離子體增強CVD(PECVD),高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后,還有金屬有機物CVD(MOCVD),根據金屬源的自特性來(lái)保證它的分類(lèi),這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài),在導入容器之前必須先將它氣化。
CSK2-12DZ系列單溫區CVD系統組成:
CVD系統=管式爐+真空抽氣系統+多路供氣系統(或者液態(tài)蒸發(fā)系統)
CSK2-12DZ系列單溫區CVD系統配置選擇:
管式爐:
SK2-12DZ 管式真空氣氛爐,1200℃,管徑:50—200mm
真空抽氣系統:
LVSE-0.1低真空控制系統
HVSE高真空控制系統
多路供氣系統:
ZDS-X多路質(zhì)子流量計控制供氣系統
FDS-X多路浮子流量計控制供氣系統
PECVD系統:
PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應,因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
PECVD系統的中文名是等離子增強化學(xué)氣相沉積系統。是在CVD的基礎上加一個(gè)射頻電源,這個(gè)射頻電源通過(guò)感應線(xiàn)圈使管式爐爐管內氣體形成等離子體,等離子體化學(xué)活性很強,很容易發(fā)生反應,從而在基片上沉積出所期望的固態(tài)沉積物。PECVD具有比普通CVD沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高、沉積所需的溫度低等優(yōu)點(diǎn)。PECVD是由單溫區CVD管式爐系統再加一個(gè)PE500射頻電源、線(xiàn)圈組成。